中国能源资讯网管式PECVD系统是一组利用平行板镀膜舟和高频等离子激发器的系列发生器，在低压的情况下，等离子发生器直接在镀膜板间介质的中间发生反应，所用的活性气体为硅烷SiH4和氨气NH3，然后硅原子与氮原子以一定的比例沉积到硅片表面形成一层氮化硅（SixNy）薄膜，起到减反射和钝化的作用，同时对提高多晶硅太阳能电池的光电转换效率起着关键性的作用。文章结合实际测量以156.75×156.75样品规格金刚线电池片为例，制作了四层氮化硅减反射膜，设计的折射率递减的四层膜能更好地起到减反射和钝化的作用，提高了光电转换效率，并对四层膜的抗PID性能进行了实验对比验证，确保后续组件生产的稳定性。
1氮化硅膜在太阳能电池中的作用
在PECVD的氮化硅膜内，除了包含Si和N元素，还包含一定数量的氢，即SixNyHz或SiNx:H[1]。利用PECVD技术在硅片表面沉积的氮化硅膜，可使薄膜前后两个表面产生的反射光相互干扰，抵消反射光，达到减反射的成效，同时增加对太阳光的吸收，提高光生电流密度，从而有效提高电池的转换效率。
多晶硅太阳能电池PECVD四层氮化硅减反射膜相关说明如表1所示。
3PID测试
多晶硅组件进行实际验证，了解四层膜工艺电池的抗PID性能，与四层膜PID测试相关条件如表2所示。
四层膜工艺电池的PID实验检验报告如下：
（1）组件原材料与常规生产材料一致。
（2）PID试验条件如表3所示。
（3）PID试验数据如表4所示（其中S01为两层膜电池片制作组件，S02为四层膜电池片制作组件[2]）。
4多晶硅太阳能电池PECVD四层氮化硅减反射膜工艺
多晶硅太阳能电池PECVD四层氮化硅减反射膜工艺参数如表5所示。
5结束语
综上所述，多晶硅金刚线太阳能电池PECVD四层氮化硅减反射膜工艺相对两层膜工艺效率上有0.07%的提升，同时制成组件后抗PID性能合格，其折射率递减的设计更有利于对太阳光的减反射效果和钝化效果，从而达到提升太阳能电池片的光转换效率、最终提升组件功率的目的。
