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三星透露了eMRAM和BCD路线图,同时将汽车芯片降至2纳米

电动汽车自动驾驶的发展正在导致对先进汽车半导体的需求增加。三星电子最近在德国举行了一次晶圆代工论坛,并宣布了其2纳米汽车半导体的大规模生产计划。

三星铸造业务总裁兼总经理Siyoung Choi

根据韩国媒体Business Post和The Hankyoreh的报道,三星在论坛上宣布,其目标是到2026年完成2纳米汽车解决方案的大规模生产准备,并扩大其产品组合,包括新一代5纳米嵌入式MRAM(eMRAM)和8英寸BCD工艺。

eMRAM提供快速的读写速度,可以在高温下稳定运行,使其成为汽车行业的一个兴趣点。在2019年大规模生产28纳米eMRAM后,三星目前正在开发基于14纳米FinFET的eMRAM,计划在2024年大规模生产。此外,三星宣布,它将在2026年和2027年分别推进到基于8纳米和5纳米的eMRAM,这表明与14纳米eMRAM相比,8纳米eMRAM的集成密度将提高30%,速度将提高33%。

关于BCD工艺,三星计划到2025年将其从目前的130纳米缩小到90纳米,可能会将芯片面积减少约20%。通过深沟隔离(DTI)技术,三星将把汽车半导体解决方案的高压从70伏提高到120伏。三星计划到2025年在其130纳米BCD工艺中引入120伏工艺设计套件(PDK)。

为了加强其汽车半导体业务,三星与20个合作者合作,包括SAFE合作伙伴、内存、包装基板和测试专家,并于2023年6月成立了多模集成联盟(MDI)。该联盟专注于各个领域差异化的2.5D和3D包装解决方案的持续研发,包括高性能计算(HPC)和汽车。

三星代工业务总裁兼总经理Siyoung Choi表示,该公司将为汽车半导体市场优化制造工艺。它将根据客户需求开发和大规模生产人工智能半导体、功率半导体、微控制器(MCU)和其他产品,特别是自动驾驶水平。通过三星独特的差异化铸造解决方案,它旨在引领电动汽车自动驾驶的时代。

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