业内普遍认为,未来有前景的晶体硅电池、组件的发展方向必然需要:1、具有适度规模的新技术,如黑硅、PERC、MWT、N-Si等等;2、薄硅片的使用;3、少银或无银电池的生产制造;4、更低的制造成本;5、易兼容其他产业化的先进技术。同时具备以上特性的MWT无疑是未来晶体硅产业化高效技术的重要力量之一。
据南京日托光伏科技股份有限公司董事长张凤鸣博士介绍,常规电池片的正负电极分别位于电池片的正反两面,而MWT电池片的正负电极均位于电池片的背面,这一技术被称为MWT背面接触技术。这一技术的实现需要:第一,在电池片上设计贯穿电池片的孔洞;第二,利用导电浆料将这些孔洞填充从而将正面的电极引到背面;第三,将引到背面的相应区域与背面电场进行隔离。由于无主栅,电池遮光面积减少、正面银浆消耗更低、具有更高的转化效率。
解决了焊带焊接的问题是MWT电池的明显优势。据介绍,MWT焊带的厚度大约在0.22毫米,目前使用的硅片的厚度大多在0.18-0.19毫米,因为硅片没有柔性,经焊带实现的电池片之间的串联产生的应力影响了组件的可靠性,也带来了组件封装损失大、封装密度低、外观单一等问题。而MWT组件里电池片之间的串联采用的是金属导电线路,无应力,可靠性好,封装损失小,封装密度高,外观更美观,电池栅线图案可以定制化。其组件封装类似于半导体集成电路的装配技术。由于不使用焊带,更薄的硅片得以使用。
同时,MWT技术具有兼容性,可以兼容单、多晶以及P型、N型,兼容黑硅、PERC等电池技术。张凤鸣预计,在未来5-10年兼容的MWT产品将占据80%以上的市场份额。
可靠数据证实,在实际应用中,MWT产品同样表现优异。在对MWT组件与常规组件的可靠性测试对比中发现,在相同老化条件下,MWT组件的衰减较常规组件减少一半以上,并且在三倍加严的测试条件下,均表现出优异的抗老化性能。
2014年8月到2015年8月对应用在光伏系统中的10个MWT多晶组件和10个常规多晶组件进行为期一年的对比实验。一年后,实验组件重新在完全一样的测试条件下再次测试各项性能参数,结果显示:经过一年的运行,MWT背接触组件的功率衰减为1.78W,常规组件的的功率衰减为4.58W,即MWT组件因无应力导致发电能力高出1.1%,而因采用导电背板导致的较低工作温度使得MWT组件的发电能力高出1.6%。因此,MWT组件的总体发电能力比常规组件高出3%左右。张凤鸣介绍,常规组件每瓦系统年发电量一般在1-1.3度左右,考虑到衰减,采用常规组件的系统整个25年生命周期的总发电量为23-30度左右,而采用MWT组件的系统多发电量为0.69-0.9度。
MWT组件的综合优势可以归纳为:功率更高;发电能力更强;可靠性更好;稳定性更好;发电成本更低;未来具备进一步的降低成本的巨大潜力。