中国能源资讯网Q：储能 IGBT 价值量，是否比光伏的价值量更高？
A：储能用更多的 IGBT 和 SiC，涉及到 DCDC 和 DCAC 两个环节。两种方案，光储一体以及单独储能系统。独立的储能系统，功率半导体器件的用量是光伏的 1.5 倍左右。目前光储一体可能占比超过 60-70%，单独储能系统占比 30%。
Q：SiC 在储能的应用？
A：二极管目前已经放量了，SiC SBD 价格比同等级硅基二极管高 3 倍。但是 SiC MOS 是硅基的 5 倍以上。所以价格还是比较高，储能可以应用，但是光伏逆变器成本也比较敏感，以 SiC MOS 目前的价格机会不大。随着未来的价格逐步降低，未来 2-3 年价格如果下降至 IGBT 2 倍，那效率提升会来带比较大的优势。猜测可能在 2025 年开始放量。1200V 电压等级相对硅基性能上有很大优势。尤其在组串式上面，可以减少体积，提升效率。
Q：逆变器厂商 IGBT 库存水位？
A：没有什么 IGBT 库存，这是光伏最大的产能制约，所以光伏厂商下单存在 overbooking 的情况。
Q：IGBT 整体供需情况？
A：IGBT 的周期比较明显，3 年一个周期。而这一次缺货时间比较长，影响因素比较多。随着各家在释放产能，24 年出现供需反转，23 年大概率还会存在一定缺货。
Q：储能中 SiC MOS 渗透率以及后续价值量？
A：SiC MOS 目前渗透率不高，可能 15-20%。功率等级以 1200V 40 毫欧 32 毫欧为主，电化学储能去年 2.2GW，每瓦变流器成本 0.3 元左右，如果纯用 SiC，成本占比 35-40%。
Q：储能 5GW 抽蓄有用到什么功率器件么？
A：也有用 IGBT 的，但是比例不高，不用变频，用泵把水提上去，用的是水电站的发电方式， 通过闸门来调节。以后抽蓄肯能会用风电变流器的双馈的方式。双馈的功率只需要抽蓄功率的 30%。
Q：电化学储能？
A：电化学储能用硅基 MOS 占比 40-50%，微逆里面用 MOS 占比稍低一些。SiC MOS 比较贵， 还是以硅基为主。10KW 以下的用硅基 MOS，10KW 以上用 MOS 效率不高。目前 IGBT 的开关频率可以做到 40-50K，已经完全符合要求。
Q：国内哪些 IGBT 厂商在光储进展快一些？
A：斯达和中车比较快，国内还有新洁能、宏微等厂商。SiC 泰克天润、基本半导体，55 所刚起来。士兰微做的也很好，着重低压领域，在光伏的量还没有完全释放出来。华润单管小器件做的可以，但是 IGBT 做的不行。赛晶 1200v-1700v 模块做的也不错，赛晶团队在瑞士， 欧洲的技术。SiC 主要以 SBD 为主，MOS 非常少，今年量加起来可能不到 5 千万。
Q：有没有企业采用GaN 方案？
A：GaN 特性只能到 650V，在小功率和射频用的比较多。光伏储能不需要那么高的开关频率， SiC 已经足够，没有什么大的市场。
Q：赛晶出货情况？
A：最近出了一些问题，人员流动，工厂也遇到一些问题没有大规模量产，产能可能接近 100万只，但是市场导入没有太多，有批量但是没有爬坡。
Q：SGT 高压 MOS 是否缺货？
A：总体还是比较缺货。
Q：光伏芯片士兰微横向对比水平？什么时候放量？
A：士兰微很早就在厦门布局 12 寸，马上开始放量，后年的量会比较大。英飞凌 7 代沟槽很密，士兰微能对标英飞凌 5 代，至少超过 4 代的水平。在国内士兰微还没有达到华虹的水平。中芯绍兴的水平可能跟士兰微的水平接近。国内芯片水平差的不是太多，器件的话斯达> 中车>斯达。
