金属化成本

非晶硅（a-Si）沉积是HJT电池的核心工艺，也是决定其电性能的关键。

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等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺具有较高的稳定性和设备成熟度，是目前a-Si:H薄膜制备的主流工艺。TCO薄膜可以提供高导电性，减少反射，并保护a-Si:H层。最广泛使用的TCO涂层技术是磁控溅射（PVD）和反应等离子体沉积（RPD）。尽管氧化铟钨（IWO）具有更好的光电性能，但由于专利和成本原因，很少有制造商采用RPD。