标签：HJT中试线

捷佳伟创射频微晶P高速率高晶化率镀膜工艺再获突破,近日，捷佳伟创常州HJT中试线成功研发出具有行业先进水平的射频(RF)微晶P工艺，微晶P薄膜沉积速率超过2埃/秒，同时晶化率稳定在50%以上。常州中试线制备的基于双...,国际太阳能光伏网