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标签:光伏电站BOS成本

不同硅片尺寸组件的BOS成本对比-中国能源资讯网

不同硅片尺寸组件的BOS成本对比

不同硅片尺寸组件的BOS成本对比,采用G12硅片(边距210mm)的半片组件可以实现近600W的组件功率,该产品的缺点在于高电流导致的内部损耗高、热斑及接线盒可靠性风险显著提高,而优势被认为是显著提...,国际太阳能光伏网